收藏本站
Preliminary Technical Information
PolarHV TM
Power MOSFET
(Electrically Isolated Tab)
IXTP 8N50PM
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500
= 4
≤ 0.8
V
A
?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
OVERMOLDED TO-220
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
500
± 30
± 40
V
V
V
V
(IXTP...M) OUTLINE
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
4
14
A
A
G
D
S
Isolated Tab
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
8
20
400
10
A
mJ
mJ
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 18 ?
P D
T C = 25 ° C
41
W
Plastic overmolded tab for electrical
International standard package
Unclamped Inductive Switching (UIS)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
Features
l
isolation
l
l
M d
Weight
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
4 g
l
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Advantages
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
500
V
l
l
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
3.0
5.5
V
l
High power density
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 100
nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
5
50
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 4 A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.8
?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99582E(04/06)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTP8N50P MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
IXTQ102N15T MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
IXTQ110N055P MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
IXTQ140N10P MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
IXTQ14N60P MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P
IXTQ150N06P MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P
IXTQ160N085T MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P
IXTQ160N10T MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
相关代理商/技术参数
IXTP8P25 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220
IXTP90N055T 功能描述:MOSFET MOSFET Id90 BVdass55 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP90N055T2 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP90N075T2 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP90N15T 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP96P085T 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP98N075T 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP9P15 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220